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  • 产品名称:双霍尔接近传感器F6-D20H1(NPN型)磁性开关
  • 产品价格: 电议
  • 产品产地:中国大陆
  • 访问次数:144 发布时间:2022/11/29 11:52:41
  • 简介内容:双霍尔接近传感器F6-D20H1(NPN型)磁性开关由静件磁性开关和动件控制磁钢组成,采用磁感应原理,使内部开关动作,达到接点通断的目的,实现对外电路的控制,( 开关接点并经特殊功率放大、增大开关容量,勿需单独给电源),完全克服了机械碰撞开关存在的接触不良,易损坏等特点。
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双霍尔接近传感器F6-D20H1(NPN型)磁性开关

 双霍尔接近传感器F6-D20H1(NPN型)磁性开关由静件磁性开关和动件控制磁钢组成,采用磁感应原理,使内部开关动作,达到接点通断的目的,实现对外电路的控制,( 开关接点并经特殊功率放大、增大开关容量,勿需单独给电源),完全克服了机械碰撞开关存在的接触不良,易损坏等特点。
霍尔接近传感器是霍尔元件与电子线路一体化的产品,它是由霍尔元件、放大器、温度补偿电路和稳压电路利用集成电路工艺技术制成的。它能感知一切与磁有关的物理量,又能输出相关的电控信息,所以霍尔集成电路既是一种集成电路,又是一种磁敏传感器,它一般采用DIP或扁平封装。 
霍尔接近开关是根据霍尔效应原理制成的新型自动化开关器件。是以永磁体或导磁体作为触发媒介的无触点电子开关,通过霍尔效应元件接受磁力线的信号,经放大、整形后控制输出状态的通断。由霍尔开关电路、保护器、状态指示灯、防水外壳等组成,可将磁讯号转换成数字电压输出。是实现位置控制、状态控制、测速、计数、方向鉴别、自动保护的优选品种。其检测对象须是磁性物体。

产品特点:
1、 响应频率高
2、重复定位精度高
3、 输出波形纯净、性能稳定
4、带工作状态指示
5、稳定、可以在油污、粉尘、振动和温差大的恶劣环境中可靠工作
6、 可以设置多重保护功能:反向性保护,浪涌电压保护和过热保
7、 工作模式:NPN输出

类型分类

常开型:开关平常处在断开状态,当磁体作用时,则开关处于闭合状态。

常闭型:开关平常处在闭合状态,当磁体作用时,则开关处于断开状态。

开闭型:即一个开关分两组共三根线,一根为公用线。一组为常开型,则另一组为常闭型。当磁体作用时,常开型处于闭合状态,常闭型处于断开状态。

什么是霍尔传感器

  霍尔传感器是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器。通过霍尔效应实验测定的霍尔系数,能够判断半导体材料的导电类型、载流子浓度及载流子迁移率等重要参数。

  霍尔效应是磁电效应的一种,这一现象是霍尔(A.H.Hall,1855—1938)于1879年在研究金属的导电机构时发现的。后来发现半导体、导电流体等也有这种效应,而半导体的霍尔效应比金属强得多,利用这现象制成的各种霍尔元件,广泛地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等方面。霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法。

  霍尔传感器的原理介绍

  磁场中有一个霍尔半导体片,恒定电流I从A到B通过该片。在洛仑兹力的作用下,I的电子流在通过霍尔半导体时向一侧偏移,使该片在CD方向上产生电位差,这就是所谓的霍尔电压。

 霍尔电压随磁场强度的变化而变化,磁场越强,电压越高,磁场越弱,电压越低,霍尔电压值很小,通常只有几个毫伏,但经集成电路中的放大器放大,就能使该电压放大到足以输出较强的信号。若使霍尔集成电路起传感作用,需要用机械的方法来改变磁场强度。下图所示的方法是用一个转动的叶轮作为控制磁通量的开关,当叶轮叶片处于磁铁和霍尔集成电路之间的气隙中时,磁场偏离集成片,霍尔电压消失。这样,霍尔集成电路的输出电压的变化,就能表示出叶轮驱动轴的某一位置。

 

  利用这一工作原理,可将霍尔集成电路片用作用点火正时传感器。霍尔效应传感器属于被动型传感器,它要有外加电源才能工作,这一特点使它能检测转速低的运转情况。

  霍尔传感器的特性

  1、精度高:在工作温度区内精度优于1%,该精度适合于任何波形的测量;

  2、线性度好:优于0.1%;

  3、霍尔传感器可以测量任意波形的电流和电压,如:直流、交流、脉冲波形等,甚至对瞬态峰值的测量。副边电流忠实地反应原边电流的波形。而普通互感器则是无法与其比拟的,它一般只适用于测量50Hz正弦波;

 

使用霍尔传感器注意事项

  在使用霍尔电流传感器时,应注意一下几点:

  1、为了得到较好的动态特性和灵敏度,必须注意原边线圈和副边线圈的耦合,要耦合得好,好用单根导线且导线*填满霍尔传感器模块孔径。

  2、使用中当大的直流电流流过传感器原边线圈,且次电路没有接通电源|稳压器或副边开路,则其磁路被磁化,而产生剩磁,影响测量精度(故使用时要先接通电源和测量端M),发生这种情况时,要行退磁处理。其方法是次边电路不加电源,而在原边线圈中通一同样等大小的交流电流并逐渐减小其值。

霍尔集成电路的原理 
  当将一块通电的半导体薄片垂直置于磁场中时,薄片两侧由此会产生电位差,此现象称为霍尔效应。此电位差称为霍尔电势,电势的大小E=KIB/d,式中K是霍尔系数,d为薄片的厚度,I为电流,B为磁感应强度。图1示出霍尔效应的原理:在三维空间内,霍尔半导体平板在XOY平面内,它与磁场方向垂直,磁场指向Y轴的方向,沿X轴方向通以电流I,由于运动的电荷与磁场的相互作用,结果在Z轴方向上产生了霍尔电势E,一般其值可达几十毫伏。为此,将霍尔元件与电子线路集成在一块约2mm*2mm的硅基片上,就做成了温度稳定性好、可靠性高的霍尔集成电路。 

更新时间:2023/11/9 12:12:53

标签:磁性接近开关F6-D20H1   

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